Firma Samsung uruchomiła masową produkcję pierwszej w branży 256‑gigabitowej (Gb) pamięci flash w trójwymiarowej pionowej architekturze NAND (3D V-NAND), zbudowanej z 48 warstw 3‑bitowych wielopoziomowych komórek (MLC) i przeznaczonej do stosowania w dyskach półprzewodnikowych (SSD). – Trzecia generacja pamięci flash V‑NAND to obecnie najbardziej zaawansowane rozwiązanie w zakresie technologii pamięciowych, o wyjątkowo wysokiej wydajności i efektywności…